各有关单位：

国家自然科学基金近期发布了“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划项目指南，本重大研究计划面向芯片自主发展的国家重大战略需求，以芯片的基础问题为核心，旨在发展后摩尔时代新器件和计算架构，突破芯片算力瓶颈，促进我国芯片研究水平的提升，支撑我国在芯片领域的科技创新。

针对后摩尔时代芯片技术的算力瓶颈，本重大研究计划围绕以下三个核心科学问题展开研究：（一）CMOS器件能耗边界及突破机理。（二）突破硅基速度极限的器件机制。（三）超越经典冯∙诺依曼架构能效的机制。

2024年度重点资助研究方向如下：

（一）培育项目。

围绕上述科学问题，以总体科学目标为牵引，拟资助探索性强、选题新颖、前期研究基础较好的培育项目5项，研究方向包括但不限于以下内容：

1. 超低功耗器件的理论、材料与集成技术。

2. 高速高性能器件的理论、材料与集成技术。

3. 高能效计算与存储架构。

（二）重点支持项目。

围绕核心科学问题，以总体科学目标为牵引，拟资助前期研究成果积累较好、处于当前前沿热点、对总体目标有较大贡献的重点支持项目6项，方向如下：

1.超低温下的弹道输运器件。

2.高迁移率堆叠沟道围栅CMOS器件。

3.高鲁棒性的SRAM存算一体架构及其大规模扩展架构研究。

4.融合不同存储介质的异构存算一体架构研究。

5.面向科学计算的高精度模拟计算架构研究。

6.面向新型计算器件的异构众核架构设计方法。

（三）集成项目。

拟遴选具有重大应用价值和良好研究基础的研究方向资助集成项目3项，方向如下：

1.面向大规模CMOS集成的二维半导体技术。

2.RISC-V与存算一体异构融合芯片。

3.数据驱动存算集成计算架构。

2024年度拟资助培育项目5项，直接费用的平均资助强度约为80万元/项，资助期限为3年；拟资助重点支持项目6项，直接费用的平均资助强度约为300万元/项，资助期限为3年。拟资助集成项目3项，直接费用的平均资助强度约为1500万元/项，资助期限为3年。

重大研究计划培育项目和重点支持项目计入高级专业技术职务（职称）人员申请和承担总数2项的范围，集成项目不计入高级专业技术职务（职称）人员申请和承担总数2项的范围，本项目申请阶段实行无纸化申请，科研部受理时间为2024年6月27日，请有意申报的老师认真阅读项目指南，根据要求在规定的时间内上报有关材料。

具体详情参见基金委网站：https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info92645.htm

联系人：李璐璐

电 话：63606707

Email：lilulu08@ustc.tsg211.com

科研部    

2024年5月27日

更多项目申报信息请参见科研部日历：http://kp2020.ustc.tsg211.com/calendar